- 產(chǎn)品詳情
IRHNS597Z60是抗輻射單通道P溝道MOSFET，-30V，56A，特點(diǎn)為單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、低RDS(on)、質(zhì)子耐受、簡單驅(qū)動(dòng)、密封陶瓷封裝、輕巧，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、配電電路、負(fù)載開關(guān)、電池充電。具ESD等級(jí)3A，TID級(jí)別100krad或300krad，符合MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn)，JANS篩選級(jí)別。
| Part Number | Radiation Level | RDS(on) | lD | QPL Part Number |
| IRHNS597Z60 | 100 kRads(Si) | 0.0132 | -56A* | JANSR2N7523U2A |
| IRHNS593Z60 | 300 kRads(Si) | 0.0132 | -56A* | JANSF2N7523U2A |
