欧美日韩三级-91免费看视频-特级淫片aaaaaaa级-综合久久网-日韩少妇高潮抽搐-在线观看国产小视频-夜夜夜夜操-婷婷激情在线-在线观看aa-国产精品久久久久久亚洲av-爱爱精品-精品处破女学生-午夜视频h-久久黄色一级视频-国产精品sm调教免费专区

Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

發布時間：2025-02-14 09:18:42     瀏覽：1379

Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片

　　Infineon IRGB15B60KD是一款絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與超快軟恢復二極管的組合器件。

　　基本特性

　　低導通電壓：采用低 VCE(on) 的非穿透型 IGBT 技術。

　　低二極管正向壓降：二極管的正向壓降較低，有助于降低功耗。

　　10μs 短路能力：能夠在 10 微秒內承受短路，具有較強的過載能力。

　　正溫度系數：VCE(on) 隨溫度升高而增大，有助于并聯工作時的電流分配。

　　超軟恢復特性：二極管的反向恢復特性非常柔和，有助于降低電磁干擾(EMI)。

　　主要參數

　　集電極 - 發射極電壓：600V。

　　連續集電極電流：25°C 時為 31A，100°C 時為 15A。

　　脈沖集電極電流：62A。

　　二極管連續正向電流：25°C 時為 31A，100°C 時為 15A。

　　最大柵極 - 發射極電壓：±20V。

　　最大功耗：25°C 時為 208W，100°C 時為 83W。

　　熱阻抗

　　結 - 外殼熱阻抗：IGBT 為 0.6°C/W，二極管為 2.1°C/W。

　　外殼 - 散熱器熱阻抗：0.50°C/W。

　　結 - 周圍環境熱阻抗：典型插件安裝為 62°C/W，PCB 安裝為 40°C/W。

　　電氣特性

　　集電極 - 發射極飽和電壓：在 15A、VGE=15V、TJ=25°C 時為 1.8V。

　　柵極閾值電壓：3.5V 至 5.5V。

　　總柵極電荷：56nC 至 84nC。

　　開關損耗：TJ=25°C 時，總開關損耗為 560μJ 至 785μJ;TJ=150°C 時，總開關損耗為 835μJ 至 1070μJ。

　　反向恢復特性

　　反向恢復能量：540μJ 至 720μJ。

　　反向恢復時間：92ns 至 111ns。

　　應用場景

　　該器件適用于對效率和可靠性要求較高的電機控制應用，能夠提供高功率密度和低電磁干擾的解決方案。

深圳市立維創展科技有限公司公司，優勢分銷Infineon英飛凌部分產品線，快速交付，歡迎聯系。

推薦資訊

  • Broadcom BCM85657：高性能PCIe Gen5和CXL 2.0重定時器解決方案
    Broadcom BCM85657：高性能PCIe Gen5和CXL 2.0重定時器解決方案 2024-07-30 09:18:13

    Broadcom BCM85657 是一款高性能的 PCIe Gen5 和 CXL 2.0 重定時器，支持高達 32 GT/s 的數據速率，兼容多種 PCIe 和 CXL 版本，適用于數據中心和企業級計算。

  • 高精度晶體振蕩器OCXO與MCXO性能對比Q-Tech
    高精度晶體振蕩器OCXO與MCXO性能對比Q-Tech 2025-08-11 08:45:11

    普通晶體振蕩器頻率穩定性為±50 ppm(-55至125℃)，功耗低至毫瓦級；OCXO通過恒溫箱將穩定性提升三個數量級，但功耗高（幾瓦以上）、預熱慢（10+分鐘）；MCXO創新采用雙頻自測溫技術（如SC切割晶體的基頻與三次諧波比值），在保持OCXO級精度的同時，功耗降至100毫瓦、預熱時間縮至1分鐘內，實現性能與能效的突破性平衡。

在線留言

在線留言